1

整机结构

前端设备操作单元、前端EFEM单元及等离子处理单元，前端EFEM系统与等离子体处理单元分体式设计

2

等离子体源

射频式电感耦合等离子体源或双频等离子体源

3

反应腔室

标准设计为双反应腔室，可根据需求定制单反应腔室和多反应腔室结构

4

机械传片

单臂或双臂高精度机械手

5

Wafer升降

机械式Wafer pin升降结构，Wafer pin采用特定工艺处理

6

真空泵

干式真空泵，根据安装位置及工艺不同，选择100-600m3/h规格。如工艺需求，可增加分子泵。

7

工艺压力控制

自动调压蝶阀

8

真空检测

管道真空计、反应腔室全量程真空计、工艺真空计

9

工艺气体种类

标准配置Ar、N2、O2，可增加CF4及其他工艺气体

10

气体流量控制

质量流量控制器（MFC）

设备主要应用：硅基半导体及化合物半导体的光阻灰化、高剂量离子注入后光刻胶去除、金属表面去胶、Wafer表面的残胶去除、Wafer表面残留污染物去除、晶圆级封装的前处理工艺等。

设备主要特点:可兼容多尺寸晶圆、可实现多反应腔室定制、独特的等离子处理空间设计、等离子体密度高、去胶速率快、均匀性好、使用成本低、定制程度高、本系列设备的设计遵从中国国家安全标准及SEMI相关安全标准要求。